摘要: 七、HCD铬厚膜的性质 1.铬膜表面的观察 在改变基片电压的情况下,用HCD法将铬沉积在纯的多晶铁基片上。该膜的表面形貌采用扫描电子显微镜(SEM)进行观察。为了在观察膜表面的同时可观察膜的断裂面,以便估算膜的厚度,所以将样品弄弯到膜层断裂后进行观察。所观察的六个样品的镀膜条件为:基片温度20℃,沉积率0.2微米/分钟,基片电压分别为0伏、-10伏、-25伏、-50伏、